中國無錫，2025年9月4日 —— 在第十三屆半導體設備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱 “中微公司”，股票代碼：688012.SH）宣布重磅推出六款半導體設備新產(chǎn)品。這些設備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關鍵工藝，不僅充分彰顯了中微公司在技術領域的硬核實力，更進一步鞏固了其在高端半導體設備市場的領先地位，為加速向高端設備平臺化公司轉型注入強勁新動能。

開幕式上，中微公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯博士在主旨報告環(huán)節(jié)正式宣布了六款新設備的發(fā)布，并深入闡述了新產(chǎn)品的先進性能與獨特優(yōu)勢。他強調(diào)，中微公司始終以市場與客戶需求為導向，持續(xù)加大研發(fā)力度。公司2025年上半年研發(fā)投入達14.92億元，同比增長約53.70 %， 研發(fā)投入占公司營業(yè)收入比例約為30.07%，遠高于科創(chuàng)板上市公司10%到15%的平均研發(fā)投入水平。目前，公司在研項目涵蓋六大類、超二十款新設備，研發(fā)速度實現(xiàn)跨越式提升 —— 過去一款新設備的開發(fā)周期通常為3到5 年，如今僅需 2 年甚至更短時間就能推出極具市場競爭力的產(chǎn)品并順利落地。

尹志堯博士在開幕式上做主旨報告?

刻蝕技術再攀高峰?兩款新品又增核心競爭力

在刻蝕技術方面，中微公司此次發(fā)布的兩款新品分別在極高深寬比刻蝕及金屬刻蝕領域為客戶提供了領先和高效的解決方案。

中微公司新一代極高深寬比等離子體刻蝕“利器”—— CCP 電容性高能等離子體刻蝕機Primo UD-RIE? 基于成熟的 Primo HD-RIE? 設計架構并全面升級，配備六個單反應臺反應腔，通過更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，提供更高離子轟擊能量，可以滿足極高深寬比刻蝕的嚴苛要求，兼顧刻蝕精度與生產(chǎn)效率。

Primo UD-RIE?引入了多項創(chuàng)新技術，自主研發(fā)的動態(tài)邊緣阻抗調(diào)節(jié)系統(tǒng)通過調(diào)節(jié)晶圓邊緣等離子體殼層調(diào)節(jié)邊緣深孔刻蝕的垂直性，大大提高了晶圓邊緣的合格率。其上電極多區(qū)溫控系統(tǒng)，優(yōu)化了高射頻功率下的散熱管理，有效提升了設備的穩(wěn)定性和可靠性。同時，Primo UD-RIE?還采用了全新的溫度可切換多區(qū)控溫靜電吸盤和主動控溫邊緣組件，不僅提高了抗電弧放電能力，還顯著提升了晶圓邊緣的良率，為生產(chǎn)先進存儲芯片提供了有力保障。

中微公司Primo UD-RIE??

同步亮相的Primo?Menova???12 寸ICP 單腔刻蝕設備，專注于金屬刻蝕領域，尤其擅長金屬 Al 線、Al 塊刻蝕，廣泛適用于功率半導體、存儲器件及先進邏輯芯片制造，是晶圓廠金屬化工藝的核心設備。這款設備延續(xù)了中微公司量產(chǎn)機型 Primo Nanova? 的優(yōu)秀基因，在刻蝕均一性控制方面表現(xiàn)卓越，可實現(xiàn)高速率、高選擇比及低底層介質(zhì)損傷等優(yōu)異性能。同時，其高效腔體清潔工藝能有效減少腔室污染、延長持續(xù)運行時間；集成的高溫水蒸氣除膠腔室（VoDM?strip chamber）可高效清除金屬刻蝕后晶圓表面殘留的光刻膠及副產(chǎn)物。此外，主刻蝕腔體與除膠腔體可根據(jù)客戶工藝需求靈活組合，最大限度滿足高生產(chǎn)效率要求，確保高負荷生產(chǎn)中的穩(wěn)定性與良率。今年 6 月，該設備的全球首臺機已付運到客戶認證，進展順利，并和更多的客戶展開合作。

中微公司Primo Menova??

薄膜沉積布局升級??Preforma Uniflash???系列填補空白

在此次新品發(fā)布中，中微公司推出的?12 英寸原子層沉積產(chǎn)品 Preforma Uniflash???金屬柵系列，成為薄膜沉積領域的一大亮點。該系列涵蓋Preforma Uniflash??TiN、Preforma Uniflash??TiAI及Preforma Uniflash? TaN三大產(chǎn)品，能夠滿足先進邏輯與先進存儲器件在金屬柵方面的應用需求。

Preforma Uniflash??金屬柵系列產(chǎn)品采用中微公司獨創(chuàng)的雙反應臺設計，系統(tǒng)可靈活配置多達五個雙反應臺反應腔，滿足高真空系統(tǒng)工藝集成需求的同時實現(xiàn)業(yè)界領先的生產(chǎn)效率。該系列產(chǎn)品搭載中微公司獨有的多級勻氣混氣系統(tǒng)，融合基于模型算法的加熱系統(tǒng)設計，以及可實現(xiàn)高效原子層沉積反應的反應腔流導設計等核心技術，不僅能滿足先進邏輯客戶的性能需求，其設備在薄膜均一性、污染物控制能力及生產(chǎn)效率方面均達到世界先進水平。

隨著半導體技術的迭代升級，原子層沉積技術的應用需求持續(xù)攀升。其中，金屬柵應用作為先進邏輯器件的關鍵環(huán)節(jié)，對設備的薄膜厚度和特性的精準控制、臺階覆蓋率、顆粒物污染控制及系統(tǒng)整合能力均提出了極高要求。Preforma Uniflash? 系列的推出，不僅進一步豐富了中微公司的薄膜設備產(chǎn)品線，更以其在高精度、高性能原子層沉積領域的技術實力，實現(xiàn)了半導體工藝應用上的全新突破，為中微公司長期發(fā)展開辟了更為廣闊的空間。

中微公司Preforma Uniflash? 金屬柵系列?

堅持突破創(chuàng)新?構建多元產(chǎn)品矩陣

中微公司在新興技術領域的布局同樣令人矚目，其發(fā)布的全球首款雙腔減壓外延設備?PRIMIO Epita? RP，憑借獨特設計成為行業(yè)焦點。作為目前市場上獨有的雙腔設計外延減壓設備，其反應腔體積為全球最小，且可靈活配置多至6?個反應腔，在顯著降低生產(chǎn)成本與化學品消耗的同時，實現(xiàn)了高生產(chǎn)效率。該設備搭載擁有完全自主知識產(chǎn)權的雙腔設計、多層獨立控制氣體分區(qū)，以及具備多個徑向調(diào)節(jié)能力的溫場和溫控設計，確保了優(yōu)秀的流場與溫場均勻性及調(diào)節(jié)能力。憑借卓越的工藝適應性和兼容性，該設備可滿足從成熟到先進節(jié)點的邏輯、存儲和功率器件等多領域外延工藝需求。去年?8 月，該設備已付運到客戶進行成熟制程和先進制程驗證，進展順利，并將和更多的客戶展開合作。

中微公司PRIMIO Epita? RP?

作為國內(nèi)高端半導體設備制造的領軍者，中微公司的技術實力已得到全球市場的廣泛認可。其等離子體刻蝕設備已應用于國際一線客戶從?65 納米到 14 納米、7 納米、5 納米及其他先進集成電路加工制造生產(chǎn)線，以及先進存儲、先進封裝生產(chǎn)線。其中，CCP 電容性高能等離子體刻蝕機和 ICP 電感性低能等離子體刻蝕機可覆蓋國內(nèi)95%?以上的刻蝕應用需求，在性能、穩(wěn)定性等方面滿足客戶先進制程的嚴苛要求。截至?2025?年6月底，公司累計已有超 6800 臺等離子體刻蝕和化學薄膜設備的反應臺，在國內(nèi)外 155?條生產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)和大規(guī)模重復性銷售，深度融入全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈。

中微公司始終堅持突破創(chuàng)新，強調(diào)?“技術的創(chuàng)新、產(chǎn)品的差異化和知識產(chǎn)權保護”，公司目前在研項目涵蓋六類設備、超二十款新設備的開發(fā)，包括新一代的CCP高能等離子體刻蝕設備、新一代的ICP低能等離子體刻蝕設備，晶圓邊緣刻蝕設備，低壓熱化學沉積LPCVD及原子水平沉積ALD等薄膜設備、硅和鍺硅外延EPI設備，新一代等離子體源的PECVD設備和電子束量檢測等設備。在泛半導體微觀制造領域，中微公司也在不斷拓展產(chǎn)品布局，包括制造氮化鎵基發(fā)光二極管，Mini-LED和Micro-LED的MOCVD設備，用于紅黃光LED的MOCVD設備，制造碳化硅和氮化鎵功率器件的MOCVD設備，制造MEMS的深硅刻蝕設備，先進封裝Chiplet所需的TSV刻蝕設備和PVD設備，新型顯示技術領域所需的核心薄膜及等離子體刻蝕設備等。

未來，中微公司將瞄準“打造世界級裝備企業(yè)”戰(zhàn)略目標，持續(xù)開發(fā)高端設備產(chǎn)品，不斷提升產(chǎn)品的性能和質(zhì)量、提高運營效率和風險管控能力，認真貫徹“五個十大”的企業(yè)文化，即“產(chǎn)品開發(fā)十大原則”、“戰(zhàn)略銷售十大準則”、“營運管理十大章法”、“精神文化十大作風”和“領導能力十大要點”，堅持三維立體發(fā)展戰(zhàn)略，堅持有機生長和外延擴展的策略，實現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康和安全的高質(zhì)量發(fā)展，力爭盡早成為高端設備平臺化公司，在規(guī)模上和競爭力上成為國際一流的半導體設備公司！